田中　愼一
通信工学科 (工学部)
教授
高周波通信デバイス研究室
■専門分野
マイクロ波工学、高周波回路工学、半導体デバイス工学
■研究の内容
■研究室分野キーワード
■関連業種
マイクロ波シミュレーション解析技術を用いて、無線機器向けの高周波デバイスの研究開発を進めています。特に自然界に存在しない特異な光学的性質を有するメタマテリアルを回路的に実現し、次世代の携帯電話やレーダーシステム、無線電力伝送などに貢献する高性能でユニークな特徴を有する増幅器、発振器、整流回路を開発しています。
情報・通信・サイエンス　電気・電子
電子部品・デバイス・電子回路製造業
情報通信機械器具製造業
■教員研究テーマ
企業で超高周波トランジスタやマイクロ波集積回路の研究開発を行ってきた実務経験を活かしながら、大学ならではの新しい基礎技術を導入して実用性と新規性を兼ね備えた高周波デバイスの実現を目指しています。
■相談可能な分野
■保有機器
■研究室のスタンス
無線などの高周波を扱う回路・実装パッケージの研究開発全般および製品・試作品の評価解析
マイクロ波回路シミュレータ（ADS / Sonnet em）
ネットワークアナライザ（50GHz）
高周波プローブステーション
スペクトラムアナライザ（26.5GHz）
シグナルジェネレータ（26.5GHz）
基板加工機
■主な著書
  • 電気学会125年史（2013/09）
  • 実用マイクロ波技術講座（第６巻）（2002/06 日刊工業新聞刊行 p.9～42）
  • 半導体デバイスシリーズ「パワーデバイス」（2010/10 丸善株式会社刊行 p.228～235）
■主な論文
  • Dispersion-Engineered CRLH Stub Resonator for Low Phase-Noise
    Oscillators（2015/06 IEEE MTT-S International Microwave Symposium）
  • Compact Stub Resonators with Enhanced Q-Factor Using NegativeOrder Resonance Modes of Non-Uniform CRLH TransmissionLines（2015/03 IEICE Transactions on Electronics）
  • Triple-Band Single-Diode Microwave Rectifier Using CRLH Transmission
    Line（2014/11 Asia Pacific Microwave Conference）
  • A 0.18 μm CMOS Low-spurious Local Signal Generator for MB-OFDM UWB
    Radio（2007/06 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium）
  • Application of Microwave and Millimeter-wave Circuit Technologies to InGaP-HBT ICs for 40-Gbps Optical-transmission Systems（2007/01 IEICE Transactions on Electronic）
  • RF HBT oscillators with low-phase noise and high-power performance utilizing a /4 resonator（2006/08 IEEE Transaction on Circuits and Systems）
  • 120-Gb/s multiplexing and 110-Gb/s demultiplexing ICs（2004/12 Journal of Solid-State Circuits）
  • Characterization of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Carbon-Doped Base Layers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition and Molecular Beam Epitaxy（2004/09 Japanese Journal of Applied Physics）
  • Theoretical Analysis of Relationships between Resonator Coupling Coefficient and Phase Noise in Microwave Negative-Resistance Oscillators（2004/01 IEICE Transactions on Electoronics）
  • Lateral and Vertical Scaling of High-fmax InP-Based HBTs（2004/06 IEICE Transactions on Electoronics）
  • Design Considerations for Millimetwer-Wave Power HBTs Based on Gain Performance Analysis.（1998/01 IEEE Transaction on Electron Devices）
  • A Compact HBT Device Model Based on a One-Flux Treatment of Carrier Transport.（1994/03 Solid-State Electronics）
  • Microwave/Millimeter-Wave Power HBTs with Regrown Extrinsic Base Layers.（1994/01 IEEE International Electron Device Meeting）
  • Characterization of Current-Induced Degradation in Be-Doped HBTs Based on GaAs and InP.（1993/07 IEEE Transaction on Electron Devices）
  • Low-Frequency Noise Performance of Self-Aligned InAlAs/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors.（1990/08 Electronics Letters）
  • Application of AlGaAs/GaAs HBT's to High-Speed CML Logic Family Fabrication.（1989/01 IEEE Transaction on Electron Devices）
  • Self-Aligned AlInAs/InGaAs HBTs for Digital IC Applications.（1988/07 Electronics Letters）
  • A Novel Process for Emitter-Base-Collector Self-Aligned Heterojunction Bipolar Transistors Using a Pattern-Inversion Method（1987/05 Electronics Letters）
  • Far-Infrared Magneto-Refelection Study of Band Warping in HgTe.（1987/01 Journal of Physical Society of Japan）