本間　哲哉
電子工学科 (工学部)
教授
光電応用研究室
■専門分野
薄膜光導波路・光波制御デバイス、シリカ系ガラス・有用金属等のリサイクル、集積回路(ULSI)用の材料・プロセス
■研究の内容
■研究室分野キーワード
■関連業種
本研究室では、1）シリカ系ガラス・有用金属リサイクルと有害金属分離・回収、2）リサイクルSiOF薄膜を用いた光波制御デバイス、3）化学気相成長（CVD）SiOF薄膜の光導波路への応用、4）ULSI用多層配線の銅薄膜、などの研究を行っています。 今後、有用金属リサイクル、省エネルギー光デバイス等、環境・リサイクル・エネルギー分野の産業がますます拡大します。本研究室は、主にリサイクル技術の実用化や技術相談、委託共同研究に対応していきます。
光学 エネルギー・環境・資源
電子部品・デバイス・電子回路製造業
情報通信機械器具製造業
■教員研究テーマ
薄膜光導波路・光波制御デバイスの形成・評価、光MEMSの作製・評価、シリカガラス・有用金属のリサイクルと応用、ULSI用多層配線用薄膜形成・評価
■相談可能な分野
■保有機器
■研究室のスタンス
薄膜光導波路
光波制御デバイス
ガラス・有用金属リサイクル
リサイクル銅の応用
Pb、Sb等のリサイクル
化学気相成長（CVD）薄膜
集積回路プロセス
分光エリプソメータ
紫外・可視・赤外分光器
コンタクト露光機
プラズマCVD装置
■特許番号・出願番号
  • 有用金属のリサイクル方法（PCT出願） 本間哲哉、生沢誠幸、古山知幸、森角明弘、田中勲平 PCT/JP2008／073572（米国12／812154）
  • 銅メッキ溶液、銅メッキ用前処理溶液及びそれらを用いた銅メッキ膜とその形成方法 本間哲哉、石田彰一、福原頼子、米澤哲夫、宮本光雄、立野稔夫 特願2003-121596 2004-323931
  • 銅メッキ溶液及び、それを用いた銅多層配線構造体の形成方法 特願2000-84514 2001-274116
  • 分割出願（補正時）：ガラス材料の回収システム
    （出願時：ガラス材料の回収方法および回収システム） 本間哲哉 平11-148404 2000-335915
  • 分割出願（補正時）：ガラス材料の回収方法
    （出願時：ガラス材料の回収方法および回収システム）
    本間哲哉 2009-037627 2000-335915
  • 配線膜形成方法及び配線膜構造 町田英明、國分宏、本間哲哉、高崎明人 特願平11-060118 2000-260865
■主な論文
  • Formation Process of Thick Fluorescent Layer for Flat Panel Displays Using A New Paste Supply System（2015/08 Optical Review）
  • Laser Beam Scanning System for Irradiation in an External Quadrangular Form for Soldering of Quad Flat Package IC（2015/02 Optical Review）
  • 廃棄FPD・CRT・蛍光管等からの有用金属の抽出技術”, セラミックス, Vol. 47 (2),「特集 環境問題とガラスのリサイクル技術」, pp. 110-112 (2012. 2. 7)（2012/02 セラミックス）
  • A Method of Removing Metal Ions from Silicate Glasses for Recycling by Liquid-Phase Deposition（2001/11 Journal of Non-crystalline Solids）
  • Fabrication and Characteristics of Thin-film Optical Switches Using Fluorinated Silicon Oxide Deposited by a Liquid-Phase Technique（2008/12 Optical Review）
  • Properties of A Thin-Film Optical Waveguide using Fluorinated Silicon Oxide and Organic Spin-on-Glass（2000/12 Optical Review）
  • Comparison of Flow Models for Photoresist Behavior at Contact Holes in Thermal Flow Process（2007/10 Journal of The Electrochemical Society）
  • Optical Properties of Fluorinated Silicon Oxide and Organic Spin-on-Glass Films fou Thin-Film Optical Waveguides.（2000/03 Journal of The Eectrochemical Society）
  • A process for Copper Films Deposition by Pyrolysis of Organic Copper Materials（2000/02 Journal of The Electrochemical Society）
  • Electrochemical Analyses of Metal Ions in HF and H2SiF6 Aqueous Solution for Recycling Silicate Glasses of Cathode-Ray Tube by Liquid-Phase Deposition（2010/09 Resources Processing）
  • An Outlier Removal Method for SPC in Semiconductor Manufacturing（2010/07 The Society of Instrument and Control Engineers (SICE) Journal of Control, Measurement, and System Integration）
  • Tool Difference Transition Visualization for Semiconductor Manufacturing（2010/05 The Society of Instrument and Control Engineers (SICE) Journal of Control, Measurement, and System Integration）
  • A Statistical Process Control Method for Semiconductor Manufacturing（2009/07 The Society of Instrument and Control Engineers (SICE) Journal of Control, Measurement, and System Integration）
  • Low Dielectric Comstant Materials and Methods for Interlayer Dielectric Films in Ultra-large-scale Integrated Circuit Multilevel Interconnection（1998/09 Journal of Material Science and Technology, R）
  • Surface Modification of Spin-on-Glass Film by Liquid-Phase Deposition of Fluorinated Silicon Oxide（2001/06 Thin Solid Films）
  • Electrical Stability of Polyimide Siloxane Films for Interlayer Dielectrics in Multilenel Interconnections（1999/02 Thin Solid Films）
  • New Inductively Coupled Plasma System Using Divided Antenna for Photoresist Ashing（2004/09 Japanese Journal of Applied Physics）
  • High-Speed Rotating-Disk Chemical Vapor Deposition Process for In-situ Arsenic-Doped Polycrystalline Silicon Films（2005/11 Japanese Journal of Applied Physics）
  • Thermo-optic Switch using Fluorinated Silicon Oxide and Organic Spin-on-Glass Films（2001/10 Optical Review Letter）
  • Behavior of Reaction Products during Puddle Development in Fabrication of Ultra-large Scale Integrations（2007/09 Journal of The Electrochemical Society）
  • Effect of Temperature for Photoresist Critical Dimension during Puddle Development（2007/06 Japanese Journal of Applied Physics）
  • Monitoring Reaction Products of Novolac Resists During Puddle Development（2007/01 Japanese Journal of Applied Physics）
  • Xenon Flash Lamp Annealing of Poly-Si Thin Films（2006/05 Journal of The Electrochemical Society）
  • キャリアエンベロープ位相安定化チャープパルス増幅システム（2005/05 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌））
  • Plasma Emission Spectrochemical Analysis of the Surface State of Particles in a Suspension System（2005/02 Japanese Journal of Applied Physics）
  • A Newly Developed High-Speed Rotating Disk CVD Equipment for Poly-Si Films（2005/01 Japanese Journal of Applied Physics）
  • ビル内における空調機を対象としたLONWORKS制御に関する方式の比較とその評価（2004/08 電気設備学会誌）
  • Optical and Color Stabilities of Paint-on Resins for Shade Modification of Restrative Rsins（2004/06 Dental Materials Journals）
  • Carrier-envelop-phase stabilized chirped-pulse amplification system scalable to higher pulse energies（2004/05 Optics Express）
  • Selection of Pulses Having A Constant Carrier-Envelope Phase from A Relatively Noisy Modelocked Oscillator（2004/04 Ultrafast Optics IV, Springer Series in Optical）
  • Optical Properties of Paint-on Resins for Shade Modification of Crown and Bridge Resins --Light Transmittance Characteristics--（2003/09 Dental Materials Journal）
  • Light Transmittance Characteristics of Human Enamel and Esthetic Restorative Materials（2002/10 Transactions of the Fourth International Congress on Dental Materials）
  • 超広帯域光発生とフェムト秒レーザーパルスのキャリアエンベロープ位相変化計測（2002/08 レーザー研究，「超高速ファイバ非線形光学」解説小特集号）
  • Measurements of Carrier-Envelop Phase Changes of 100-Hz Amplified Laser Pulses（2002/07 Applied Physics B）
  • Hydrogen evolution from cathodically charged titanium 　　　aluminide alloy Ti-24Al-11Nb（2002/06 Journal of Alloys and Compounds）
  • A Photoresist Removal Process with Plasma Treatment Using Gas Containing Hydrogen after Aluminum Etching（2002/08 Journal of The Electrochemical Society）
  • Mechanical Properties of Light-Cured Composite Resins Cured through Filters that Simulate Enamel（2002/06 Dental Materials Journal）
  • A Highly Selective Photoresist Ashing Process to Silicon Nitride Films by Addition of Trifluoromethane（2001/09 Japanese Journal of Applied Physics）
  • Single-shot measurement of the carrier envelope phase by observing the spectral interference（2001/09 Optics Letters）
  • Photoresist Ashing Process Using Carbon Tetrafluoride Gas Plasma with Ammonia Gas Addition（2001/08 Japanese Jounal of Applied Physics）
  • Highly Selective Photoresist Ashing by Addition of Ammonia to Plasma Containing Carbon Tetrafluoride（2001/02 Journal of The Electrochemical Society）
  • Low-Temperature Plasmaless Etching of Silicon Dioxide Film Using Chlorine Trifluoride Gas with Water Vapor（2000/12 Journal of The Electrochemical Society）
  • Optical Properties of Fluorinated Silicon Oxide Fims by Liquid Phase Deposition for Optical Waveguides（1998/06 IEEE Transactions on Instrumentation & Measurement）
  • A Structural study for Efficient Electroluminescence Cells using Perylene Doped Organic Materials.（1997/10 Jornal of The Electrochemical Society）
  • Instability of Si-F Bonds in Fluorinated Silicon Oxide (SiOF) Films Formed by Various Techniques.（1996/05 Thin Solid Films）
  • Properties of Fluorinated Silicon Oxide Films Formed Using Fluorotriethoxysilane for Interlayer Dielectrics in Multilevel Interconnections.（1996/03 Journal of The Electrochemical Society）
  • Characteristics of SiOF Films Deposited Using Tetrathylorthosilicate (TEOS) and Fluorotriethoxysilane (FTES) at Room Temperature by chemicalVaper Deposition（1996/02 Journal of The Electrochemical Society）
  • An SiO2 Film Deposition Technology using Tetraethylorthosilicate (TEOS) and Ozone for Interlayer Metal Dielectrics（1996/05 Journal of The Electrochemical Society）
  • Fluorinated Interlayer Dielectric Films in ULSI Multilevel Interconnections（1995/07 Journal of Non-Crystalline Solids）
  • Future Trends for Interlayer Dielectric Films and Their Formation Technologies in VLSI Multilevel Interconnections（1995/04 Journal of Materials Chemistry and Physics）
  • Fluorinated SiO2 Films for Interlayer Dielectrics in Quartermicron Multilevel Interconnections（1995/01 Low-Dielectric Constant Materials - Synthesis and Applications in Microelectronics, Proceedings Volume）
  • Properties of Liquid Phase Deposited SiO2 Films for Interlayer Dielectrics in Ultra-large-scale Integrated Circuit Multilevel Interconnections（1994/09 Thin Solid Films）
  • An Asymmetric Side Wall Process for High Performance LDD MOSFET's（1994/02 IEEE Transactions on Electron Devices）
  • Flow Characteristics of SiOF Films in Room Temperature Chemical Vapor Deposition Utilizing Fluorotrialkoxysilane Group and Pure Water as Gas Sources（1993/12 Journal of The Electochemical Society）
  • A Fully Planarized Multilevel Interconnection Technology Using Semi-Selective Tetraethoxysilane-Ozone Chemical Vapor Deposition at Atmospheric Pressure（1993/12 Journal of The Electrochemical Society）
  • Stability of A New Polimide Siloxane Film as Interlayer Dielectrics of ULSI Multilevel Interconnections（1993/11 Thin Solid Films）
  • A 7-Mask CMOS Process with Selective Oxide Deposition（1993/08 IEEE Transaction on Electron Devices）
  • A Selective SiO2 Film Formation Technology Using Liquid Phase Deposition for Fully Planarized Multilevel Interconnections（1993/08 Journal of The Electrochemical Society）
  • A Spin-on-Glass Film Treatment Technology Using A Fluoroalkoxysil-ane vapor at Room Temperature（1993/07 Journal of The Electrochemical Society）
  • A Room Temperature Chemical Vapor Deposition SiOF Film Formation Technology for the Interlayer in Submicron Multilevel Interconnection（1993/03 Journal of The Electrochemical Society）
  • New Polyimide Film Paves Way for Super High-Speed Logic Devices（1988/11 Journal of Electronic Engineering）
  • A Long-Lasting Polyacetylene Battery with High Energy Density（1983/05 Japanese Journal of Applied Physics Letter）